| 一种应用于LTE直接变频无声表滤波器接收机的1.2-V CMOS前端设计 |
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| 引用本文： | 王日炎,黄继伟,李正平,张伟峰,曾隆月.一种应用于LTE直接变频无声表滤波器接收机的1.2-V CMOS前端设计[J].半导体学报,2012,33(3):035005-5. |
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| 作者姓名： | 王日炎 黄继伟 李正平 张伟峰 曾隆月 |
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| 作者单位： | 广州润芯信息技术有限公司,广州,射频与光电集成电路研究所,东南大学,南京;广州润芯信息技术有限公司,广州,,广州润芯信息技术有限公司，广州,广州润芯信息技术有限公司，广州,广州润芯信息技术有限公司，广州 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划（863计划） |
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| 摘 要： | 本文提出了一种应用于LTE直接变频接收机的CMOS射频前端电路。电路由低噪声跨导放大器（LNA），电流型无源混频器和跨阻运算放大器（TIA）组成，该结构对于LTE多频带应用具有高集成，高线性，并实现简单的频率配置。电路采用多个电流舵跨导级实现了大的可变增益控制范围。电流型无源混频器采用25%占空比本振改善了电路增益、噪声和线性性能。为了抑制带外干扰，采用直接耦合电流输入滤波器。该射频前端电路采用0.13-μm CMOS工艺设计制造。测试结果表明电路在2.3GHz到2.7GHz工作频率范围，具有45dB电压转换增益，噪声系数为2.7dB，IIP3为-7dBm以及校准后的IIP2为 60dBm。电路采用1.2V单电压供电，整个电路工作电流为40mA。
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| 关 键 词： | RF CMOS 前端 无源混频器 25%占空比 可变增益 噪声系数 正交调制器 直接变频接收机 LTE |
| 收稿时间： | 8/5/2011 12:25:13 AM |
A 1.2-V CMOS front-end for LTE direct conversion SAW-less receiver |
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| Wang Riyan,Huang Jiwei,Li Zhengping,Zhang Weifeng and Zeng Longyue.A 1.2-V CMOS front-end for LTE direct conversion SAW-less receiver[J].Chinese Journal of Semiconductors,2012,33(3):035005-5. |
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| Authors: | Wang Riyan Huang Jiwei Li Zhengping Zhang Weifeng and Zeng Longyue |
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| Affiliation: | Guangzhou Runxin Information Technology Co. Ltd, Guangzhou 510663, China;College of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350002, China;Institute of RF- & OE IC, Southeast University, Nanjing 210096, China;Guangzhou Runxin Information Technology Co. Ltd, Guangzhou 510663, China;Guangzhou Runxin Information Technology Co. Ltd, Guangzhou 510663, China;Guangzhou Runxin Information Technology Co. Ltd, Guangzhou 510663, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF CMOS front-end passive mixer 25% duty-cycle variable gain quadrature demodulator |
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