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| 分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-Al_xGa_(1-X)As异质结中的二维电子气 | |
| 引用本文： | 江丕桓,李月霞,杨富华,王杏华.分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-Al_xGa_(1-X)As异质结中的二维电子气[J].半导体学报,1986,7(2):216-218. |
| 作者姓名： | 江丕桓 李月霞 杨富华 王杏华 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (江丕桓，李月霞，杨富华)，中国科学院半导体研究所(王杏华) |
| 摘 要： | <正> 本所分子束外延组制备了选择性掺杂的 GaAs/N-AlGaAs异质结,它的结构如下:在掺Cr半绝缘(100)GaAs的衬底上,先外延生长1微米厚的未掺杂的 GaAs层,再生长厚度 60A|°左右的未掺杂的Al_xGa_(1-x)As隔离层,其上是厚度为 1000A|°的掺Si的 N- |
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