| AlGaN/GaN HEMT器件的研制 |
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| 引用本文： | 张小玲,吕长治,谢雪松,李志国,曹春海,李拂晓,陈堂胜,陈效建.AlGaN/GaN HEMT器件的研制[J].半导体学报,2003,24(8):847-849. |
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| 作者姓名： | 张小玲 吕长治 谢雪松 李志国 曹春海 李拂晓 陈堂胜 陈效建 |
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| 作者单位： | [1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022 [2]南京固体器件研究所,南京210016 |
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| 摘 要： | 介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为1μm ,获得的最大跨导为12 0mS/mm ,最大的漏源饱和电流密度为0 95A/mm .
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 输出特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)08-0847-03 |
| 修稿时间： | 2002年8月31日 |
Research on AlGaN/GaN HEMT |
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| Abstract: | The fabrication of AlGaN/GaN HEMT and its properties at room temperature is reported.Source drain Ohmic contacts and Schottky metal system is Ti/Al/Pt/Au and Pt/Au,respectively.A maximum transconductance of 120mS/mm and a saturated current density of 0 95A/mm are obtained. |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT output characteristics |
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