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| 硅芯片封接用PbO、ZnO、B2O3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系 | |
| 引用本文： | 孙以材,孟凡斌,潘国峰,刘盘阁,姬荣琴.硅芯片封接用PbO、ZnO、B2O3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系[J].半导体学报,2002,23(5). |
| 作者姓名： | 孙以材 孟凡斌 潘国峰 刘盘阁 姬荣琴 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学微电子所,天津,300130 2. 河北工业大学金属所,天津,300130 3. 河北工业大学高分子材料所,天津,300130 |
| 摘 要： | 对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行DSC、红外吸收光谱及X射线衍射谱分析,实验表明,淬火态的软化点低,在500～510℃下完全熔化,有利于芯片的低温封接.重熔再凝固态的熔点高(630℃)、热稳定性好,有利于器件的使用.进一步研究表明,淬火态为无序态,再凝固态为结晶态,其中存在Pb2ZnB2O6的晶体相.无论是在无序态中还是在结晶态中,BO3]3-离子团都不会破裂,均出现其分子振动的特征简正模. |
| 关 键 词： | 低温玻璃 芯片封接 特性分析 DSC谱 红外吸收谱 X射线衍射谱 |
Relationship Between Properties of PbO,ZnO,B2O3 Ternary System Low Temperature Glass Used for Bonding Silicon Chips and Bonding Technology |
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