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小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器
引用本文:朱晓鹏,徐遵图,张敬明,马骁宇,陈良惠.小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器[J].半导体学报,2002,23(4).
作者姓名:朱晓鹏  徐遵图  张敬明  马骁宇  陈良惠
作者单位:中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程研究中心,北京,100083
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:通过采用经过优化的新型大光腔结构,脊形波导980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角.结果表明波导中的光功率密度可以降低,获得了大于400mW、斜率效率0.89W/A的输出光功率,垂直方向远场发散角也降低到23°.

关 键 词:半导体激光器  量子阱  大光腔  波导  脊形波导EEACC:4320J  6434  1310

A Single Mode 980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs Large Optical Cavity Quantum Well Laser with Low Vertical Divergence Angle
Abstract:To achieve high optical power as well as low vertical divergence angle,a new kind of optimized large optical cavity (LOC) structure is applied to a ridge waveguide 980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs multi-quantum well laser.The optical power density in the waveguide is successfully reduced.The maximum output power is more than 400mW with a slope efficiency of 0.89W/A and the far-field vertical divergence angle is lowered to 23°
Keywords:semiconductor laser  quantum well  large optical cavity  waveguide  ridge waveguide
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