| a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析 |
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| 引用本文： | 林鸿生,段开敏,马雷.a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析[J].半导体学报,2002,23(5). |
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| 作者姓名： | 林鸿生 段开敏 马雷 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系,合肥,230026 |
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| 摘 要： | 通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡态a-SiC/c-Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟,详细分析不同制备条件下a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布,指出采用更薄p+(a-SiC∶H)薄膜和在pn异质结嵌入i(a-Si∶H)缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集,从而提高a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的性能,而高强度光照射下模拟计算表明,a-SiC/c-Si异质结太阳能电池具有较高光稳定性.
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| 关 键 词： | 异质结太阳能电池 Newton-Raphson解法 a-SiC∶H隙态密度分布 载流子收集 |
Analysis of Design for a-SiC/c-Si Heterojunction Solar Cells |
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