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| 基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管 | |
| 引用本文： | 徐现刚,刘喆,崔得良.基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管[J].半导体学报,2002,23(9). |
| 作者姓名： | 徐现刚 刘喆 崔得良 |
| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
| 摘 要： | 采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.制备的器件不但具有非常好的直流特性,而且还表现出良好的微波特性,其结果与能带理论的预言一致,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为1.00和1.06,击穿电压高达15V,电流放大增益截止频率超过100GHz. |
| 关 键 词： | GaAsSb InP MOCVD 双异质结晶体三极管 |
GaAsSb/InP HBT Growth on InP Substrates |
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