| 纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用 |
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| 引用本文： | 郭亨群,林赏心,王启明.纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用[J].半导体学报,2006,27(2):345-349. |
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| 作者姓名： | 郭亨群 林赏心 王启明 |
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| 作者单位： | 华侨大学，泉州 362021;华侨大学，泉州 362021;中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了纳米Si镶嵌SiO2薄膜,在室温下观察到光致发光现象,峰值分别位于360,430和835nm,结合吸收谱、光致发光激发谱和X射线衍射分析讨论了发光机理.利用纳米Si镶嵌SiO2薄膜的非线性光学特性可作为可饱和吸收体,在Nd:YAG激光器中实现被动调Q运转.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 纳米Si 光致发光 被动调Q 纳米 薄膜 发光机理 非线性 光学特性 应用 Films Nonlinear Optical Property Application 被动调 激光器 饱和吸收体 利用 衍射分析 射线 激发谱 光致发光 吸收谱 结合 峰值 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)02-0345-05 |
| 收稿时间： | 08 18 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005年8月18日 |
Photoluminescence and Application of Nonlinear Optical Property of nc-Si-SiO2 Films |
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| Guo Hengqun,Lin Shangxin and Wang Qiming.Photoluminescence and Application of Nonlinear Optical Property of nc-Si-SiO2 Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(2):345-349. |
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| Authors: | Guo Hengqun Lin Shangxin and Wang Qiming |
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| Affiliation: | Huaqiao University,Quanzhou 362021,China;Huaqiao University,Quanzhou 362021,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering nanocrystalline silicon photoluminescence passive Q-switching |
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