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| GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器 | |
| 引用本文： | 张耀辉,江德生,夏建白,刘伟,崔丽秋,杨小平,宋春英,郑厚植,周增圻,林耀望.GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器[J].半导体学报,1996,17(2):151-154. |
| 作者姓名： | 张耀辉 江德生 夏建白 刘伟 崔丽秋 杨小平 宋春英 郑厚植 周增圻 林耀望 |
| 作者单位： | 半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所，国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ下的５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，峰值探测率达到５×１０１１ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，阻抗为５０ＭΩ．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件，在零偏压下该探测器仅在３～５μｍ波段有响应，响应峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ温度下５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ |
| 关 键 词： | 红外探测器 砷化镓 GaAlAs 量子阱 探测器 |
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