低温制备Mn-W共掺ZnO透明导电薄膜

利用直流磁控溅射法成功地在室温玻璃衬底上制备出了电阻率低、透光率高的Mn-W共掺ZnO（ZMWO）透明导电薄膜。溅射功率在65-150 W之间变化。实验结果表明，溅射功率对ZMWO薄膜的晶化程度和电阻率有很大影响，而对其透光率和光学带隙影响不大。实验制备的ZMWO为六方纤锌矿结构的多晶薄膜，具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。考虑到薄膜的电学、光学性能及结晶质量，我们认为本实验中的最佳值溅射功率为90 W，在此功率下制备的ZMWO薄膜的电阻率具有最小值9.8×10-4Ωcm，其可见光透过率为89%。