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一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法
引用本文:石华芬,张海英,刘训春,陈宝钦,刘明,王云翔.一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法[J].半导体学报,2003,24(4):411-415.
作者姓名:石华芬  张海英  刘训春  陈宝钦  刘明  王云翔
作者单位:中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心 北京100029中国科学院研究生院,北京100039,北京100029,北京100029,北京100029,北京100029,北京100029中国科学院研究生院,北京100039
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划);G200006830404;
摘    要:提出了一种新的 PMMA/ PMGI/ PMMA三层胶复合结构 ,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在 In PPHEMT材料上制作出高成品率的 T型纳米栅 .在曝光显影条件变化 2 0 %的情况下 ,In P HEMT成品率达到 80 %以上 ;跨导变化范围在 5 90~ 6 10 m S/ mm,夹断电压为 - 1.0~ - 1.2 V,器件的栅长分布均匀 .这种新的结构工艺步骤少 ,工艺宽容度大 ,重复性好 ,大大提高了纳米栅器件的成品率

关 键 词:PMMA/PMGI/PMMA三层胶复合结构    InPPHEMT    电子束曝光    T型纳米栅
文章编号:0253-4177(2003)04-0411-05
修稿时间:2002年6月20日

A Novel High-Yield InP-Based T-Shaped Nanometer-Gate Fabrication Technique
Abstract:A novel PMMA/PMGI/PMMA trilayer resist structure is introduced.By using only a single alignment,e beam exposure and a series of development steps,high yield T shaped nanometer gate on InP PHEMT material is fabricated.Yields as high as 80% was achieved with the exposure dosesand development times variance of 20%,the extrinsic transconductances vary from 590mS/mm to 610mS/mm,while the cut off voltage is between -1 0V and -1 2V.With all these data,it is concluded that the gate lengths were highly uniform.The new trilayer resist structure decreased the process steps.The fabrication process has large latitude,high reliability,and improves yield of nanometer gate devices.
Keywords:PMMA/PMGI/PMMA tri  resist structure  InP PHEMT  E  beam exposure  T  shaped nano  gate
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