| InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计 |
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| 引用本文： | 钱永学,刘训春.InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计[J].半导体学报,2003,24(7):753-757. |
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| 作者姓名： | 钱永学 刘训春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划 (编号 :2 0 0 0 0 0 683 0 40 3 )，中国科学院 (编号 :KGX2 -10 1)资助项目~~ |
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| 摘 要： | 采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号Gum mel- Poon模型参数,利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的190 0 MHz两级AB类功率放大器.该功放的功率增益为2 6 d B,1d B压缩点输出功率为2 8d Bm,对应的功率附加效率和邻近信道功率比分别为38.8%、- 30 .5 d Bc,1d B压缩点处的各阶谐波功率均小于- 4 0 d Bc.
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| 关 键 词： | 异质结双极晶体管 Gummel-Poon模型 AB类功率放大器 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)07-0753-05 |
| 修稿时间： | 2002年8月25日 |
Design of InGaP/GaAs HBT Microwave Power Amplifier |
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| Qian Yongxue and Liu Xunchun.Design of InGaP/GaAs HBT Microwave Power Amplifier[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(7):753-757. |
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| Authors: | Qian Yongxue and Liu Xunchun |
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| Abstract: | The method to extract HBT large-signal Gummel-Poon model parameters with simulated annealing algorithm is discussed.These parameters extracted are used for a design of 1900MHz two-stage class AB power amplifier with very low quiescent power consumption.The gain of the P _A is 26dB.Its output 1dB compression point is 28dBm.At this point the power-added efficiency and ACPR are 38 8%,-30 5dBc respectively.All harmonic powers are below -40dBc when P _ out is below 28dBm. |
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| Keywords: | HBT Gummel-Poon model class AB power amplifier |
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