| 具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制 |
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| 引用本文： | 刘键,李诚瞻,魏珂,和致经,刘果果,郑英奎,刘新宇,吴德馨.具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制[J].半导体学报,2006,27(z1):262-265. |
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| 作者姓名： | 刘键 李诚瞻 魏珂 和致经 刘果果 郑英奎 刘新宇 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金委员会-香港研究资助局联合科研项目
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 研究了AlGaN/GaN HEMT器件Ti/Al/Ti/Au四层金属结构欧姆接触的形成过程.通过系统研究退火条件获得了较低的欧姆接触电阻,实现了10-7Ω·cm2的欧姆接触率,并在此基础上对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触形成机理进行了深入讨论.通过器件工艺的优化,研制了高性能的AlGaN/GaN HEMT器件.栅宽40μm的器件跨导达到250mS/mm,fT达到70GHz;栅宽0.8mm的功率器件电流密度达到1.07A/mm(Vg=0.5V),Vds=30V时,8GHz工作频率下(在片测试)器件的输出功率为32.5dBm(1.6W),输出功率密度达到2.14W/mm,功率增益为12.7dB.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 欧姆接触 跨导 输出功率密度 欧姆接触 接触电阻 高性能 AlGaN HEMT 功率器件 High Performance Development Ohmic Contact 功率增益 输出功率密度 在片测试 工作频率 电流密度 跨导 栅宽 工艺的优化 形成机理 接触率 退火条件 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0262-04 |
| 修稿时间： | 2005年10月11日 |
Development of High Performance AlGaN/GaN HEMTs with Low Ohmic Contact |
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| Liu Jian,Li Chenzhan,Wei Ke,He Zhijing,Liu Guoguo,Zheng Yingkui,Liu Xinyu,Wu Dexin.Development of High Performance AlGaN/GaN HEMTs with Low Ohmic Contact[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):262-265. |
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| Authors: | Liu Jian Li Chenzhan Wei Ke He Zhijing Liu Guoguo Zheng Yingkui Liu Xinyu Wu Dexin |
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