|
|||||
|
|
| Si／Si1—xGex应变层异质结双极晶体管（HBT）交直流特性的仿真研究 | |
| 引用本文： | 郭宝增.Si／Si1—xGex应变层异质结双极晶体管（HBT）交直流特性的仿真研究[J].半导体学报,1998,19(10):764-772. |
| 作者姓名： | 郭宝增 |
| 作者单位： | 河北大学电子与信息工程系 |
| 摘 要： | 本报道了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变异质结双极晶体管（ＨＢＴ）交直流特性的仿真结果，通过用叠代法求解漂移－扩散方程的数值解，确定器件的直流特性，再利用瞬态激励法，求解器件的交流特性参数，将基区Ｇｅ摩尔含量ｘ为０．２，０．３１的ＨＢＴ的模拟结果分别与有关献报道的实验结果进行了比较，两的结果符合良好。 |
| 关 键 词： | HBT 异质结 双极晶体管 仿真 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |