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金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究
引用本文:刘传珍,杨柏梁,袁剑峰,李牧菊,吴渊,寥燕平,张玉,王大海,黄锡珉.金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究[J].半导体学报,2001,22(1):61-65.
作者姓名:刘传珍  杨柏梁  袁剑峰  李牧菊  吴渊  寥燕平  张玉  王大海  黄锡珉
作者单位:中国科学院长春物理研究所北方液晶研究中心,长春130021
基金项目:中国科学院科技攻关项目;KY951-A1-502;
摘    要:利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni- MIC多晶硅薄膜的特性 ,对薄膜结构和组成进行了分析 ,对晶化过程的机理进行了讨论

关 键 词:金属诱导晶化    多晶硅
文章编号:0253-4177(2001)01-0061-05
修稿时间:1999年9月22日

Preparation and Characterization of Poly-Crystalline Si Films Obtained by Metal Induced Crystallization at Low Temperature
LIU Chuan- zhen,YANG Bai- liang,YUAN Jian- feng,LI Mu- ju,WU Yuan,LIAO Yan- ping,ZHANG Yu,WANG Da- hai and HUANG Xi- min.Preparation and Characterization of Poly-Crystalline Si Films Obtained by Metal Induced Crystallization at Low Temperature[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(1):61-65.
Authors:LIU Chuan- zhen  YANG Bai- liang  YUAN Jian- feng  LI Mu- ju  WU Yuan  LIAO Yan- ping  ZHANG Yu  WANG Da- hai and HUANG Xi- min
Abstract:
Keywords:Metal Induced Crystallization ( MIC)  poly- crystalline Si  
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