硅/硅键合界面的正电子湮没分析 |
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引用本文: | 詹娟,刘光廷.硅/硅键合界面的正电子湮没分析[J].电子器件,1992,15(2):92-94. |
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作者姓名: | 詹娟 刘光廷 |
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摘 要: | 硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N~+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N~-/N~+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。
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关 键 词: | 硅 功率器件 正电子 |
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