首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现
引用本文:唐立田, 张海英, 黄清华, 李潇, 尹军舰,.一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现[J].电子器件,2009,32(3):566-569.
作者姓名:唐立田  张海英  黄清华  李潇  尹军舰  
作者单位:中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029
基金项目:国家自然科学基金资助,国家重点基础研究发展规划项目资助 
摘    要:采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器.针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3 pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中.测试结果表明单端跨阻增益高达78 dB·Ω,-3 dB带宽超过300 MHz,100 MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3 pA/平方根Hz,功耗仅为14.4 mW.芯片面积(包括所有PAD)为500 μm×460 μm.

关 键 词:跨阻放大器  RGC结构  等效输入噪声电流谱密度  0.18μm  CMOS工艺

Design and Implementation of a High Gain Low Noise and Low Power Trans-Impedance Amplifier
TANG Litian,ZHANG Haiying,HUANG Qinghu,LI Xiao,YIN Junjian.Design and Implementation of a High Gain Low Noise and Low Power Trans-Impedance Amplifier[J].Journal of Electron Devices,2009,32(3):566-569.
Authors:TANG Litian  ZHANG Haiying  HUANG Qinghu  LI Xiao  YIN Junjian
Affiliation:Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Science;Beijing 100029;China
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息
点击此处可从《电子器件》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号