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基于0.18 μm CMOS工艺的6 GHz环形压控振荡器设计
引用本文:吴春红,朱恩,王雪艳,郁炜嘉,程树东,王志功.基于0.18 μm CMOS工艺的6 GHz环形压控振荡器设计[J].电子器件,2003,26(4):438-440,437.
作者姓名:吴春红  朱恩  王雪艳  郁炜嘉  程树东  王志功
作者单位:东南大学射频与光电集成电路研究所,210096,南京
摘    要:基于0.18 μmCMOS工艺设计的全差分环形压控振荡器电路,芯片总面积为0.65×0.79 mm2,1.8V电源供电,总功耗155 mW,中心频率6 GHz,调谐范围1 GHz.可应用于IEEE802.11a WLAN系统.

关 键 词:射频集成电路  压控振荡器  CMOS工艺
文章编号:1005-9490(2003)04-0438-03

6GHz Ring VCO Design Using 0.18 μm CMOS Technology
WU Chun-hong,ZHU En,WANG Xue-yan,YU Wei-jia,CHENG Shu-dong,WANG Zhi-gong.6GHz Ring VCO Design Using 0.18 μm CMOS Technology[J].Journal of Electron Devices,2003,26(4):438-440,437.
Authors:WU Chun-hong  ZHU En  WANG Xue-yan  YU Wei-jia  CHENG Shu-dong  WANG Zhi-gong
Abstract:
Keywords:WLAN  RFIC  VCO  CMOS
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