| 发射层对指数掺杂Ga1-χAlχ As/GaAs光阴极性能的影响 |
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| 引用本文： | 赵静,常本康,熊雅娟,张益军,张俊举.发射层对指数掺杂Ga1-χAlχ As/GaAs光阴极性能的影响[J].电子器件,2011,34(2). |
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| 作者姓名： | 赵静 常本康 熊雅娟 张益军 张俊举 |
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| 作者单位： | 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，南京理工大学自主科研专项计划课题资助项目 |
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| 摘 要： | 为了探索发射层厚度对指数掺杂Ga1-χAlχAs/GaAs光电阴极光学性能与光电发射性能的影响,实验制备了两种发射层厚度不同的阴极样品,并测试得到400μm～1 000 nm内反射率、透射率与光谱响应曲线.实验结果说明发射层2.0 μm厚的样品比1.6μm厚的样品性能更好.利用薄膜光学矩阵理论公式计算阴极膜系反射率、透射率、吸收率与发射层厚度的关系公式,并对原有的量子效率公式进行光谱反射率和短波截止限的修正.用修正后的公式仿真不同发射层厚度下光阴极吸收率与光谱响应曲线,指出发射层厚度对阴极光学性能与光电发射性能的不同影响.进一步计算得到指数掺杂的Ga1-χAlχAs/GaAs光电阴极最佳发射层厚度范围是1.8μm～2.4μm.
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| 关 键 词： | 光学薄膜 Ga1-χAlχAs/GaAs 光电阴极 光学性能 光电发射性能 光谱曲线 |
Influence of the Active Layer on Exponential-Doping Ga1-χAlχAs/GaAs Photocathode Performances |
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| ZHAO Jing,CHANG Benkang,XIONG Yajuan,ZHANG Yijun,ZHANG Junju.Influence of the Active Layer on Exponential-Doping Ga1-χAlχAs/GaAs Photocathode Performances[J].Journal of Electron Devices,2011,34(2). |
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| Authors: | ZHAO Jing CHANG Benkang XIONG Yajuan ZHANG Yijun ZHANG Junju |
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