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化学机械抛光用SiO_2研磨料的制备及其后处理
引用本文:王娟, 刘玉岭, 檀柏梅, 李薇薇,.化学机械抛光用SiO_2研磨料的制备及其后处理[J].电子器件,2005,28(3):536-538.
作者姓名:王娟  刘玉岭  檀柏梅  李薇薇  
作者单位:河北工业大学微电子研究所,300130
基金项目:天津市重点学科建设基金
摘    要:以水玻璃为主要原料、采用多次生长法,低zeta电位生长、高电位陈化等控制过程,生产出具有不同粒径、稳定的碱性单分散硅溶胶产品,并实现120nm大粒径硅溶胶生长可控,突破生长大粒径的难题。并采用离子交换法对产品进行处理,使其金属离子含量降到10^-6级,符合微电子工业对相关耗材的要求。

关 键 词:化学机械抛光  硅溶胶  制备  纯化
文章编号:1005-9490(2005)03-0536-03
收稿时间:2005-03-27
修稿时间:2005-03-27

Preparation and Disposal of SiO_2 Slurry Used in CMP
WANG Juan,LIU Yu-ling,TAN Bai-mei,LI Wei-wei.Preparation and Disposal of SiO_2 Slurry Used in CMP[J].Journal of Electron Devices,2005,28(3):536-538.
Authors:WANG Juan  LIU Yu-ling  TAN Bai-mei  LI Wei-wei
Affiliation:Institute of Microelectronics; Hebei University of Technology; Tianjin 300130; China
Abstract:The water glasses are taken as row material and the silica sols with different particle size are gained in the condition of controlling zeta potential and multigrowth ,The growth of the silica sols with 120 nm can be controlled. This production breaks the problem of growing large size particle of silica sols. The silica sols are purified to reduce its metal content to 10 -6 and made use widely in Chemical Mechanical Polishing (CMP).
Keywords:chemical mechanical polishing silica sols  preparation  purify
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