| 基于0.18μm CMOS工艺的2.4/5.2GHz双频段LNA的设计 |
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| 引用本文： | 景一欧, 李勇, 赖宗声, 孙玲, 景为平,.基于0.18μm CMOS工艺的2.4/5.2GHz双频段LNA的设计[J].电子器件,2007,30(4):1144-1147. |
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| 作者姓名： | 景一欧 李勇 赖宗声 孙玲 景为平 |
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| 作者单位： | 1. 华东师范大学信息学院电子系,上海,200062
2. 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏,南通,226007 |
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| 基金项目： | 上海市科委资助项目
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江苏省重点实验室基金
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江苏省高科技研究(工业部分)项目 |
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| 摘 要： | 采用0.18 μm CMOS工艺,实现了双频段低噪声放大器设计.通过射频选择开关,电路可以分别工作在无线局域网标准802.11g规定的2.4 GHz和802.11a规定的5.2 GHz频段.该低噪声放大器为共源共栅结构,设计中采用了噪声阻抗和输入阻抗同时匹配的噪声优化技术.电路仿真结果表明:在2.4 GHz频段电路线性增益为15.4 dB,噪声系数为2.3 dB,1 dB压缩点为-12.5 dBm,IIP3为-4.7 dBm;5.2 GHz频段线性增益为12.5 dB,噪声系数为2.9 dB,1 dB压缩点为-11.3 dBm,IIP3为-5.5 dBm.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 共源共栅结构 双频段 射频开关 阻抗匹配 |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）04-1144-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-08 |
Design of a 2.4/5.2 GHz Dual-Band Low-Noise Amplifier in 0.18 μm CMOS Progress |
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| JING Yi-ou,LI Yong,LAI Zong-sheng,SUN Ling,JING Wei-ping.Design of a 2.4/5.2 GHz Dual-Band Low-Noise Amplifier in 0.18 μm CMOS Progress[J].Journal of Electron Devices,2007,30(4):1144-1147. |
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| Authors: | JING Yi-ou LI Yong LAI Zong-sheng SUN Ling JING Wei-ping |
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| Affiliation: | 1. Faculty o f Electronics, Communication Institute,East China Normal University,Shanghai 200062,China; 2. Nantong University, Jiangsu Province Key Lab of ASIC Design, Nantong Jiangsu 226007, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low-noise amplifier cascode amplifier dual-band RF switch impedance matching |
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