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一种BiCMOS低压差线性稳压器的设计
引用本文:巩怀青,常昌远.一种BiCMOS低压差线性稳压器的设计[J].电子器件,2005,28(1):142-145.
作者姓名:巩怀青  常昌远
作者单位:东南大学微电子中心,南京,210096
摘    要:设计了一种低压差线性稳压器,对其结构原理进行了分析,并用0.6μmBiCMOS工艺进行模拟验证。Hspice模拟结果表明在输出负载电流为150mA,温度为25℃,输入电压为4.3V时压差为120mV,输出噪声74.2pVRMs,静态电流只有15.43pA,而待机工作模式静态电流小于0.04pA。体现其具有低功耗、低噪声的优点,且该稳压器可工作在3.45~10V电源电压范围,并有过温保护和限流保护功能。

关 键 词:低压差  低功耗  线性调整率  负载调整率
文章编号:1005-9490(2005)01-0142-04

The Design of a BiCMOS Low-Dropout Voltage Regulator
GONG Huai-qing,CHANG Chang-yuan.The Design of a BiCMOS Low-Dropout Voltage Regulator[J].Journal of Electron Devices,2005,28(1):142-145.
Authors:GONG Huai-qing  CHANG Chang-yuan
Abstract:
Keywords:low-dropout  low power dissipation  line regulation  load regulation  
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