双极型压控晶体管直流特性的数值模拟 |
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作者姓名: | 曾云 金湘亮 颜永红 刘久玲 成世明 |
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作者单位: | 1. 湖南大学应用物理系,长沙,410082 2. 湖南农业大学理学院,长沙,410128 |
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摘 要: | 本文采用数值计算和解析分析相结合的方法,建立了新型功率半导体器件--有型压控晶体管(BJMOSFET)电流-电压特性的数值分析模型;运用Mathematics数学分析软件,模拟得出BJMOSFET电压转移特性曲线和电压输出特性曲线;得出的结果说明在相同的器件结构尺寸和工作情况下,与功率MOS晶体管相比,导通电压略有增加,但电流容量增加较大。
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关 键 词: | 压控晶体管 直流特性 双极型 数值模拟 |
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