|
|||||
|
|
| 深亚微米槽栅PMOSFET 特性研究 | |
| 引用本文： | 任红霞,张晓菊,郝跃.深亚微米槽栅PMOSFET 特性研究[J].电子器件,2003,26(3):233-239. |
| 作者姓名： | 任红霞 张晓菊 郝跃 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学,微电子研究所,西安,710071 |
| 摘 要： | 基于流体动力学能量输运理论，对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究，包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等。仿真结果表明，与平面器件相比，槽栅结构很好地抑制了短沟道效应和漏感应势垒降低效应，并具有较好的抗热载流子性能，但其漏极驱动能力低于平面器件，并从内部物理机制上解释了上述区别。 |
| 关 键 词： | 槽栅 PMOSFET 栅极特性 漏极特性 热载流子效应 |
| 文章编号： | 1005-9490(2003)03-0233-07 |
| 修稿时间： | 2003年4月13日 |
Study on the Characteristics for Deep-Sub-Micron Grooved-Gate PMOSFET |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | grooved-gate PMOSFET gate characteristics drain characteristics hot-carrier-effect |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《电子器件》下载全文 | |