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一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计
引用本文:孙铁署, 蔡理,.一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计[J].电子器件,2005,28(2):366-369.
作者姓名:孙铁署  蔡理  
作者单位:空军工程大学,理学院,西安,710038;中国人民解放军95809部队78分队,河北,沧州,061022;空军工程大学,理学院,西安,710038
基金项目:陕西省自然科学基金;空军工程大学校科研和教改项目
摘    要:基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SKT构成的全加器电路结构。该全加器优点为:简化了“P—SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0.02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短,仅为0.24ns。SPICE宏模型仿真结果验证了它的正确性。

关 键 词:单电子晶体管  互补  反相器  全加器  SPICE  宏模型
文章编号:1005-9490(2005)02-0366-04

A Full Adder Realization with Complementary Single-Electron Transistors
SUN Tie-shu,CAI Li.A Full Adder Realization with Complementary Single-Electron Transistors[J].Journal of Electron Devices,2005,28(2):366-369.
Authors:SUN Tie-shu  CAI Li
Abstract:Based on the I-V characteristics of single-electron transistor (SET) and the concepts of CMOS digital integrated circuit design, a full adder which consists of 28 complementary SETs is proposed. The full adder has the following characteristics: "PSET" networks simplified; excellent compatibility of input and output voltages; with the selection of parameters, their high and low voltage approximating 0.02 V and 0 V; a brief time delay of 0.24 ns. The accuracy is validated by SPICE macro-model of SET.
Keywords:Single-Electron Transistors  complementary  inverter  full adder  SPICE macro-model
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