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BiCMOS工艺的高线性度下变频混频器设计
引用本文:李雪刚, 吴建辉,.BiCMOS工艺的高线性度下变频混频器设计[J].电子器件,2008,31(2):500-502.
作者姓名:李雪刚  吴建辉  
作者单位:东南大学,集成电路学院,南京,210096
摘    要:利用BiCMOS工艺设计了一种高线性度下变频混频器.在此变频混频器的设计中结合了双极型工艺在射频段的高性能以及MOS工艺的高线性度,并利用其对传统的吉尔伯特单元进行了优化.基于JAZZ 0.35μm标准BiCMOS SBC35工艺设计参数对混频器进行了设计和仿真,仿真结果表明该混频器获得了良好的性能指标,转换增益为9.3 dB,输入3阶互调点达到了16 dBm,在5 V单电源下消耗1.9 mA的电流.

关 键 词:射频集成电路设计  BiCMOS  吉尔伯特单元  线性度  BiCMOS  工艺设计  高线性度  下变频混频器  设计参数  Technology  Mixer  电流  消耗  单电源  互调  输入  转换增益  性能指标  仿真结果  标准  JAZZ  优化  单元  吉尔伯特
文章编号:1005-9490(2008)02-0500-03
修稿时间:2007年6月20日

Highly Linear Down-Conversion Mixer in BiCMOS Technology
LI Xue-gang,WU Jian-hui.Highly Linear Down-Conversion Mixer in BiCMOS Technology[J].Journal of Electron Devices,2008,31(2):500-502.
Authors:LI Xue-gang  WU Jian-hui
Affiliation:LI Xue-gang,WU Jian-hui(Institute of Integrated Circuit,SouthEast University,Nanjing 210096,China)
Abstract:
Keywords:RF integrate circuit design  BiCMOS  Gilbert cell  linearity  
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