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10 Gb/s 0.18 μm CMOS时钟恢复芯片
引用本文:袁晟,冯军,王骏峰,王志功. 10 Gb/s 0.18 μm CMOS时钟恢复芯片[J]. 电子器件, 2003, 26(4): 434-437
作者姓名:袁晟  冯军  王骏峰  王志功
作者单位:东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划),2001AA312010,
摘    要:介绍了基于0.18μmCMOS工艺的10Gb/s时钟恢复电路的设计。核心电路采用预处理加简单锁相环的结构。模拟结果表明,该电路能工作在10GHz频率上,输入信号峰值0.4V时,同步范围可以达到270MHz,总功耗210mW。

关 键 词:预处理 时钟恢复 CMOS
文章编号:1005-9490(2003)04-0434-04
修稿时间:2003-08-19

10 Gb/s 0.18 μm CMOS Clock Recovery IC
YUAN Sheng FENG Jun WANG Jun-feng WANG Zhi-gong. 10 Gb/s 0.18 μm CMOS Clock Recovery IC[J]. Journal of Electron Devices, 2003, 26(4): 434-437
Authors:YUAN Sheng FENG Jun WANG Jun-feng WANG Zhi-gong
Abstract:This paper introduces the design of a 10 Gb/s clock recovery circuit to be fabricated in 0.18 um CMOS technology. Employing a preprocessor with a simple PLL, the circuit exhibits a pull-in-range of 270 MHz at 10 GHz and the total power is 210 mW(when the amplitude of input signal is 0.4 V).
Keywords:preprocessor  clock recovery  CMOS  
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