| 10 Gb/s 0.18 μm CMOS时钟恢复芯片 |
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| 引用本文： | 袁晟,冯军,王骏峰,王志功. 10 Gb/s 0.18 μm CMOS时钟恢复芯片[J]. 电子器件, 2003, 26(4): 434-437 |
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| 作者姓名： | 袁晟 冯军 王骏峰 王志功 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，2001AA312010， |
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| 摘 要： | 介绍了基于0．18μmCMOS工艺的10Gb／s时钟恢复电路的设计。核心电路采用预处理加简单锁相环的结构。模拟结果表明，该电路能工作在10GHz频率上，输入信号峰值0．4V时，同步范围可以达到270MHz，总功耗210mW。
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| 关 键 词： | 预处理 时钟恢复 CMOS |
| 文章编号： | 1005-9490(2003)04-0434-04 |
| 修稿时间： | 2003-08-19 |
10 Gb/s 0.18 μm CMOS Clock Recovery IC |
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| YUAN Sheng FENG Jun WANG Jun-feng WANG Zhi-gong. 10 Gb/s 0.18 μm CMOS Clock Recovery IC[J]. Journal of Electron Devices, 2003, 26(4): 434-437 |
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| Authors: | YUAN Sheng FENG Jun WANG Jun-feng WANG Zhi-gong |
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| Abstract: | This paper introduces the design of a 10 Gb/s clock recovery circuit to be fabricated in 0.18 um CMOS technology. Employing a preprocessor with a simple PLL, the circuit exhibits a pull-in-range of 270 MHz at 10 GHz and the total power is 210 mW(when the amplitude of input signal is 0.4 V). |
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| Keywords: | preprocessor clock recovery CMOS |
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