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| 一种2V、9μA、15×10~(-6)/℃高电源抑制CMOS带隙电压基准源 | |
| 作者姓名： | 李文冠 姚若河 郭丽芳 |
| 作者单位： | 华南理工大学微电子研究所； |
| 摘 要： | 通过分析带隙电压基准源的PSR,发现运放的PSR为1时,基准电压将具有很高的PSR.基于该思想,在带隙电压基准源中引入PSR提高电路,实现一种低功耗、低温度系数、高电源抑制能力的带隙电压基准源.该带隙电压基准源采用TSMC 0.6 μm、两层POLY、两层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.0528 mm2.测试结果表明:其最大工作电流为9 μA;在2~5 V工作电压下温度系数为15×10-6/℃;线调整率为50 μV/V; 100 kHz的PSR为-70 dB.仿真与测试结果验证了该方法的有效性. |
| 关 键 词： | 带隙电压基准源 低功耗 高电源抑制 |
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