|
|||||
|
|
| 关于存贮器的电池备用线路 | |
| 引用本文： | A.C.Graham ,J.E.O''''Toole ,R.A.Kertis ,D.P.Sheppard ,MostekCorp.,Carrollton.TX,吴振婵.关于存贮器的电池备用线路[J].电子器件,1980(Z1). |
| 作者姓名： | A.C.Graham J.E.O'Toole R.A.Kertis D.P.Sheppard MostekCorp. Carrollton.TX 吴振婵 |
| 作者单位： | 莫斯塔克公司，德克萨斯州卡罗尔顿 |
| 摘 要： | 在很多应用场合,静态随机存贮器(RAM)需要一个超低功率的备用状态,因为这样大的存贮系统就可以由适当大小的电池组长时间保持。这个要求已迫使把许多系统用相对昂贵的CMOS RAM来设计,以满足很低的电流(氵曵)漏需要(每一存贮单元小于10nA)。以前关于NMOS RAM的电池备用的努力曾要求在降低的V_(cc)下运行。它仅部分地减少功率,或者为存贮阵列另加分开的供电引线,它要增加元件的引线总数。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |