首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析
引用本文:王芳,杨保和.适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析[J].光电子.激光,2005,16(1):28-31.
作者姓名:王芳  杨保和
作者单位:天津理工大学光电信息系,天津,300191;天津理工大学光电信息系,天津,300191
基金项目:国家自然科学基金重点资助项目(60276001),天津市自然科学基金资助项目(023601711)
摘    要:探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。

关 键 词:ZnO薄膜  射频磁控溅射  声表面波(SAW)器件  退火  C轴取向
文章编号:1005-0086(2005)01-0028-04

Deposition and Properties of Highly C-oriented ZnO Thin Films for SAW Devices
WANG Fang,YANG Bao-he.Deposition and Properties of Highly C-oriented ZnO Thin Films for SAW Devices[J].Journal of Optoelectronics·laser,2005,16(1):28-31.
Authors:WANG Fang  YANG Bao-he
Affiliation:WANG Fang,YANG Bao-he~
Abstract:
Keywords:ZnO thin films  RF magnetron sputtering  surface acoustic wave(SAW) devices  anneal  C-oriented
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《光电子.激光》浏览原始摘要信息
点击此处可从《光电子.激光》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号