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| 10%占空比大功率半导体激光器线阵列 | |
| 引用本文： | 康志龙,辛国锋,陈国鹰,花吉珍,安振峰,郭艳菊,高丽艳.10%占空比大功率半导体激光器线阵列[J].光电子．激光,2004,15(10):1178-1180. |
| 作者姓名： | 康志龙 辛国锋 陈国鹰 花吉珍 安振峰 郭艳菊 高丽艳 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130 2. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,石家庄,050051 3. 中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,石家庄,050051 |
| 基金项目： | 河北省自然科学基金资助项目(603080) |
| 摘 要： | 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光(LD)线阵列的峰值波长为939．5nm．光谱的半高全宽(FWHM)为2．3nm．在400μs、250Hz的输入电流下，输出峰值功率达到65W(75A)．斜率效率高达1W／A．阈值电流密度为185A／cm^2，最高转换效率可达42%。 |
| 关 键 词： | 线阵列 大功率半导体激光器 输入电流 峰值功率 FWHM 单量子阱激光器 分别限制 LD 制成 材料 |
| 文章编号： | 1005-0086(2004)10-1178-03 |
10% Duty Cycle High Power Semiconductor Laser Linear Array |
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| KANG Zhi-long.10% Duty Cycle High Power Semiconductor Laser Linear Array[J].Journal of Optoelectronics·laser,2004,15(10):1178-1180. | |
| Authors: | KANG Zhi-long |
| Affiliation: | KANG Zhi-long~ |
| Abstract: | |
| Keywords: | semiconductor laser(LD) metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) single quantum well linear array |
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