| MOCVD生长高反射率AIN／GaN分布布拉格反射镜 |
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| 引用本文： | 尚景智,张保平,吴超敏,蔡丽娥,张江勇,余金中,王启明.MOCVD生长高反射率AIN／GaN分布布拉格反射镜[J].光电子．激光,2008,19(12). |
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| 作者姓名： | 尚景智 张保平 吴超敏 蔡丽娥 张江勇 余金中 王启明 |
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| 作者单位： | [1]厦门大学物理系、半导体光子学研究中心,福建厦门361005 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室,北京100083 |
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| 摘 要： | 利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率A1N／GaN分布布拉格反射镜（DBR）。利用分光光度计测量，在418nm附近最大反射率达到99％。样品表面显微照片显示，有圆弧形缺陷和少量裂纹出现；在缺陷和裂纹以外的区域，DBR具有较为平坦的表面，其粗糙度在10μm×10μm面积上为3．3nm左右。样品的截面扫描电镜（SEM）照片显示，DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明，该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL）的要求。
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| 关 键 词： | 金属有机物化学气相沉积（MOCVD） 分布布拉格反射镜（DBR） 高反射率 氮化物 |
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