首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

ZnO纳米晶薄膜/p-Si异质结制备及其光电特性
引用本文:丁和胜,殷磊,袁兆林,任亚杰,黄文登,邓建平.ZnO纳米晶薄膜/p-Si异质结制备及其光电特性[J].光电子.激光,2018,29(5):499-504.
作者姓名:丁和胜  殷磊  袁兆林  任亚杰  黄文登  邓建平
作者单位:陕西理工大学 物理与电信工程学院,陕西 汉中 723001,陕西理工大学 物理与电信工程学院,陕西 汉中 723001,陕西理工大学 物理与电信工程学院,陕西 汉中 723001,陕西理工大学 物理与电信工程学院,陕西 汉中 723001,陕西理工大学 物理与电信工程学院,陕西 汉中 723001,陕西理工大学 陕西省工 业自动化重点实验室,陕西 汉中 723001
基金项目:陕西省自然科学基金(2017JM6090)和陕西省教育厅自然科学基金(16JK1135)资助项目 (1.陕西理工大学 物理与电信工程学院,陕西 汉中 723001; 2.陕西理工大学 陕西省工 业自动化重点实验室,陕西 汉中 723001)
摘    要:为了发展高性能、低成本和结构简单的ZnO纳米 器件,在本文中,利用简便的热分解法,在p型 硅(p-Si)基底上制备ZnO纳米晶薄膜,利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪 (XRD)、紫外- 可见分光光度计和荧光光谱仪,分别研究了ZnO纳米晶薄膜的形貌、晶相结构和光学特性。 结果显示:在 p-Si基底上形成不规则颗粒状ZnO纳米晶,为多晶六方纤锌矿结构。ZnO纳米晶薄膜在可 见光区光透过率 高于90%,光学带宽为3.26eV,仅在 387nm处出现一个很强的近带边(NBE)发射峰。进一步发现ZnO纳米 晶薄膜/p-Si异质结在暗态和365nm紫外光照射下都出现整流特性, 形成了二极管。在暗态下,该二极管的 整流率为3.95(±2.46 V),开启电压约为0.7V,理想因 子为4.65,反偏饱和电流为4.57×10-8 A。在365nm的 紫外光照射下,它的整流率高达24.85(±0.65V),说明它对365nm的紫外光有很高的响应,适合用于紫外光探测 器。

关 键 词:ZnO纳米晶    异质结    光透过率    整流率
收稿时间:2017/9/6 0:00:00

Fabrication and optoelectronic characteristics of ZnO nanocrystalline thin film/p-Si heterojunction
DING He-sheng,YIN Lei,YUAN Zhao-lin,REN Ya-jie,HUANG Wen -deng and DENG Jian-ping.Fabrication and optoelectronic characteristics of ZnO nanocrystalline thin film/p-Si heterojunction[J].Journal of Optoelectronics·laser,2018,29(5):499-504.
Authors:DING He-sheng  YIN Lei  YUAN Zhao-lin  REN Ya-jie  HUANG Wen -deng and DENG Jian-ping
Affiliation:School of Physics and Telecommunication Engineering,Shaanxi University of T echnology,Hanzhong 723001,China,School of Physics and Telecommunication Engineering,Shaanxi University of T echnology,Hanzhong 723001,China,School of Physics and Telecommunication Engineering,Shaanxi University of T echnology,Hanzhong 723001,China,School of Physics and Telecommunication Engineering,Shaanxi University of T echnology,Hanzhong 723001,China,School of Physics and Telecommunication Engineering,Shaanxi University of T echnology,Hanzhong 723001,China and Shaanxi Provincial Key Laboratory of Industri al Automation,Shaanxi University of Technology,Hanzhong 723001,China
Abstract:
Keywords:ZnO nanocrystals  heterojunction  optical transmittance  rectification ratio
点击此处可从《光电子.激光》浏览原始摘要信息
点击此处可从《光电子.激光》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号