Y2O3:Eu薄膜的制备及其发光性能研究 |
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引用本文: | 张晓松,李岚,邹开顺,陶怡.Y2O3:Eu薄膜的制备及其发光性能研究[J].光电子.激光,2004,15(5):549-553. |
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作者姓名: | 张晓松 李岚 邹开顺 陶怡 |
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作者单位: | 天津理工学院材料物理研究所,天津,300191;天津理工学院材料物理研究所,天津,300191;河北工业大学信息学院,天津,300130 |
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基金项目: | 天津市自然科学基金资助项目(013615211);天津市教委资助项目(01-20114);天津市"材料物理与化学"重点学科资助项目 |
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摘 要: | 用电子束蒸发方法在ITO基片上生长Y2O3:Eu荧光薄膜.并在不同条件下退火处理。分别用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(KPS)、扫描电于显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱表征Y2O3:Eu荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明:随着温度升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能:600 O退火处理的光致发光中,617nm和596nm的谱线最强。
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关 键 词: | Y2O3:Eu薄膜 电子束蒸发 场发射显示器(FED) 退火处理 |
文章编号: | 1005-0086(2004)05-0549-05 |
Preparation of Y2O3:Eu Thin Film Deposited by Electron Beam Evaporation and Study on Luminescence Properties |
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Abstract: | |
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