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多层间隔式结构多孔硅冷阴极电子发射的研究
引用本文:刘志钢,张丽珠.多层间隔式结构多孔硅冷阴极电子发射的研究[J].光电子.激光,2000,11(4):375-378.
作者姓名:刘志钢  张丽珠
作者单位:[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 [2]天津机电工业学校
摘    要:在多孔硅(PS)表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此,器件电子发射效率显著提高,在32.5V偏压下,发射效率达13.5%,发射电流密度29μA/cm^2;工作电流和发射电流的波动性明显减小;器件稳定性得到提高。

关 键 词:多孔硅  冷阴极  多层间隔  电子发射
修稿时间:1999-11-30

Study of Efficient Electron-emitting Cold Cathodes Based on Mul ti-layer Alternation Structural Control Porous Silicon Diodes
LIU Zhi-gang,XUE Jun-ming,WANG Ning-juan,REN Li-ru,SUN Zho ng-lin ZHANG Li-zhu.Study of Efficient Electron-emitting Cold Cathodes Based on Mul ti-layer Alternation Structural Control Porous Silicon Diodes[J].Journal of Optoelectronics·laser,2000,11(4):375-378.
Authors:LIU Zhi-gang  XUE Jun-ming  WANG Ning-juan  REN Li-ru  SUN Zho ng-lin ZHANG Li-zhu
Affiliation:LIU Zhi-gang,XUE Jun-ming,WANG Ning-juan,REN Li-ru,SUN Zho ng-lin ZHANG Li-zhu 1
Abstract:
Keywords:porous silicon  cold cathodes  multi -layer alternation structural  electron emission
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