| 基于Be的宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体材料及激光二极管研究 |
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| 引用本文： | 张吉英,申德振.基于Be的宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体材料及激光二极管研究[J].光电子．激光,1999,10(6):584-588. |
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| 作者姓名： | 张吉英 申德振 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所,激发态物理开放研究实验室,长春,130021 |
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| 基金项目： | “八六三”计划“光电子主题”资助课题!（863－307－05－04（01）） |
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| 摘 要： | 宽带Ⅱ－Ⅵ族半导体材料，铍的硫属化物如ＢｅＴｅ，ＢｅＳｅ和ＢｅＳ与ＺｎＳｅ、ＺｎＳ和ＺｎＴｅ等相比，有较强的共价键性（晶格硬度增大）和大的堆垛层错能，而且与ＧａＡｓ有好的晶格匹配。因此认为ＺｎＳｅ基半导体材料中加入Ｂｅ对ＺｎＳｅ蓝绿激光二极管寿命将有明显改善。本文介绍近几年这方面的研究成果和发展动态。
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| 关 键 词： | 铍 新材料 宽带 Ⅱ-Ⅵ族 半导体 激光二极管 |
| 修稿时间： | :1999-04-2 |
Progress of Wide-gap |
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| Zhang Jiying,Shen Dezhen,Fan Xiwu.Progress of Wide-gap[J].Journal of Optoelectronics·laser,1999,10(6):584-588. |
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| Authors: | Zhang Jiying Shen Dezhen Fan Xiwu |
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| Abstract: | |
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