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| ⅡB族同核准分子Hg2226.2nm漫射带研究 | |
| 引用本文： | 黄志伟,郑蔚.ⅡB族同核准分子Hg2226.2nm漫射带研究[J].光电子．激光,1996,7(2):103-107. |
| 作者姓名： | 黄志伟 郑蔚 |
| 作者单位： | 福建师范大学实验中心，福建师范大学物理系 |
| 基金项目： | 福建省教委科学基金,福建师范大学青年科学基金 |
| 摘 要： | 本文报导在高纯Ｈｇ蒸气石英放电管中首次观测到峰值位于２２６．２ｎｍ左右属于Ｈｇ２准分子ＧＯ＾＋ｕ→ＸＯ＾＋ｇ束缚→自由跃迁的漫射带辐射，实验测量了漫射带强度随放电电流、气体温度和密度的变化关系，获得漫射带最大信号输出的工作参量。 |
| 关 键 词： | 激光介质 激光光谱 漫射带 |
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