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| Zn0.65Cd0.35Se—ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和电光调制 | |
| 引用本文： | 郑著宏,张吉英.Zn0.65Cd0.35Se—ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和电光调制[J].光电子．激光,1996,7(4):199-201,209. |
| 作者姓名： | 郑著宏 张吉英 |
| 摘 要： | 利用ＭＯＣＶＤ技术和光电子器件工艺成功制备了Ｐ－ｉ－ｎ结构的Ｐ－ＺｎＳｅ－（Ｚｎ０．６５Ｃｄ０．３５Ｓｅ－ＺｎＳｅＭＱＷ）－ｎ－ＺｎＳｅ自电光效应器件。在这种自由光效应器中，在反向偏置电压下了由量子限制斯塔克效引起的电光调制。 |
| 关 键 词： | 量子阱 自电光效应器件 光电子器件 |
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