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纳米VO2薄膜相变特性的红外透射表征研究
引用本文:梁继然.纳米VO2薄膜相变特性的红外透射表征研究[J].光电子.激光,2010(3):323-327.
作者姓名:梁继然
作者单位:天津大学电子信息工程学院;中国科学院半导体研究所;集成光电子学国家重点实验室;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心;中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;
基金项目:国家“863”计划资助项目(2008AA031401); 国家自然科学基金资助项目(60771019); 天津市应用基础及前沿技术研究重点资助项目(08JCZDJC17500)
摘    要:采用双离子束溅射VOx薄膜附加热处理的方式制备纳米VO2薄膜,利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分别对其结晶结构和表面形貌进行了测试,利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对热驱动下纳米VO2薄膜相变过程中的光学性能进行测试与分析。实验结果表明,经400℃N2热处理后,获得了由纳米颗粒组成的VO2薄膜;在所测试的红外波段,纳米VO2薄膜内颗粒发生相变的初始温度随波长的增加而升高,薄膜的相变温度点随波长增加也逐渐升高。

关 键 词:VO2  光学相变  红外透射

Characterization for phase transition of nano VO2 thin film by infrared transmission
LIANG Ji-ran.Characterization for phase transition of nano VO2 thin film by infrared transmission[J].Journal of Optoelectronics·laser,2010(3):323-327.
Authors:LIANG Ji-ran
Affiliation:LIANG Ji-ran1,2,HU Ming1,KAN Qiang2,WANG Xiao-dong3,LI Gui-ke4,LI Chang-qing1,CHEN Hong-da2(1.School of Electronic , Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China,2.State Key Lab on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,3.Engineering Research Center for Semiconductor Integrated Technology,4.State Key Laboratory for Superlattices , Microstructure...
Abstract:Nano-vanadium dioxide(VO2) thin films are prepared by thermal annealing VO2 thin films deposited by dual ion beam sputtering.X-ray diffraction and scanning electronic microscopy were used to measure the crystal structure and investigate the morphology of thin film,respectively.Fourier Transform Infrared spectrum were used to measure and analyze the optical phase transition properties are measured and analyzed by use of fourier transform infrared spectrum.The results show that nano-vanadium dioxide thin film...
Keywords:nano-VO2 thin film  optical phase transition  infrared transmission  
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