| MOCVD生长1．06μm InGaAs／GaAs量子阱LDs |
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| 引用本文： | 潘教青,黄柏标,张晓阳,岳金顺,秦晓燕,于永芹,尉吉勇.MOCVD生长1．06μm InGaAs／GaAs量子阱LDs[J].光电子．激光,2003,14(6):590-593. |
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| 作者姓名： | 潘教青 黄柏标 张晓阳 岳金顺 秦晓燕 于永芹 尉吉勇 |
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| 作者单位： | 1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100
2. 山东华光光电子有限公司,山东,济南,250010 |
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| 摘 要： | 用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。
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| 关 键 词： | MOCVD InGaAs／GaAs量子阱 LDs 半导体激光器 应变量子阱 中断生长 应变缓冲层 |
| 文章编号： | 1005-0086(2003)06-0590-04 |
| 修稿时间： | 2002年11月22 |
MOCVD Growth of InGaAs/GaAs Quantum Well for 1 064 nm LDs |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | strain quantum well(QW) metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD) laser diode(LD) |
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