| 氧氩流量比对RF溅射ZnO:Mg薄膜结构及光学性能的影响 |
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| 引用本文： | 自兴发,叶青,刘瑞明,何永泰. 氧氩流量比对RF溅射ZnO:Mg薄膜结构及光学性能的影响[J]. 光电子．激光, 2015, 26(5): 883-888 |
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| 作者姓名： | 自兴发 叶青 刘瑞明 何永泰 |
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| 作者单位： | 楚雄师范学院 物理与电子科学学院,云南 楚雄 675000 ;云南师范大学 太阳能研 究所,可再生能源材料先进技术及制备教育部重点实验室,云南 昆明 650092;楚雄师范学院 物理与电子科学学院,云南 楚雄 675000;楚雄师范学院 物理与电子科学学院,云南 楚雄 675000;楚雄师范学院 物理与电子科学学院,云南 楚雄 675000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61271159)资助项目 (1.楚雄师范学院 物理与电子科学学院,云南 楚雄 675000； 2.云南师范大学 太阳能研 究所,可再生能源材料先进技术及制备教育部重点实验室,云南 昆明 650092) |
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| 摘 要： | 利用射频(RF)磁控溅射技术,采用单质Zn靶和 MgO陶瓷靶共溅射,在O2和Ar气的混合气氛下制备了Mg掺杂ZnO(ZnO:Mg)薄膜,并通过改变O2和Ar的流量比O 2/Ar,研究了 对ZnO:Mg薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,室 温下O2/Ar在1∶1～3∶1 范围内制备的薄膜均为单相的ZnO(002)薄膜,薄膜具有三维(3D)的结核生长模式；沉积的 ZnO:Mg薄膜在 N2氛下200℃退火处理后,O2/Ar为3∶1制备的薄膜在380～1200nm光谱范围内具有较高的透过率,可见光区平 均透过率约为85%、最大透过率达90%；薄膜的光学带隙 Eg为3.51eV,Mg掺杂对ZnO薄膜的光学带隙具有 较为明显的调制作用；采用极值包络线法计算表明,薄膜在589.3nm 处的折射率为1.963,膜厚约285nm。
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| 关 键 词： | 射频(RF)磁控溅射 ZnO:Mg薄膜 透射光谱 光学带隙 |
| 收稿时间： | 2015-02-03 |
Influence of O2/Ar on structure and optical properties of ZnO:Mg thin films deposited by RF magnetron sputtering |
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| ZI Xing-f,YE Qing,LIU Rui-ming and HE Yong-tai. Influence of O2/Ar on structure and optical properties of ZnO:Mg thin films deposited by RF magnetron sputtering[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2015, 26(5): 883-888 |
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| Authors: | ZI Xing-f YE Qing LIU Rui-ming HE Yong-tai |
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| Affiliation: | School of Physical and Electronic Science,Chuxiong Normal University,Chuxi ong 675000,China ;Key Laboratory of Renewable Energy Materials Advanced Technology and Manufacturing of Ministry of Education of China,Solar Energy Res earch Institute,Yunnan Normal University,Kunming 650092,China;School of Physical and Electronic Science,Chuxiong Normal University,Chuxi ong 675000,China;School of Physical and Electronic Science,Chuxiong Normal University,Chuxi ong 675000,China;School of Physical and Electronic Science,Chuxiong Normal University,Chuxi ong 675000,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | radio frequency (RF) magnetron sputtering ZnO:Mg thin film transmission spectr um optical band gap |
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