|
|||||
|
|
| 电子束蒸镀厚SiO2膜的工艺研究 | |
| 引用本文： | 伍晓明.电子束蒸镀厚SiO2膜的工艺研究[J].光电子．激光,2001,12(6):569-571. |
| 作者姓名： | 伍晓明 |
| 作者单位： | 清华大学精密仪器系;斯图加特大学第四物理研究所 |
| 摘 要： | 本文研究了用电子束蒸镀工艺制备用于光波导器件的SiO2膜。采用高温退火处理工艺使SiO2膜的光学和物理特性稳定。在蒸镀过程中，输入不同压力的O2，可以改变和控制SiO2膜的组分，达到控制膜折射率的目的。通过逐次蒸镀、退火的工艺，实现1μm以上厚SiO2膜的制备。 |
| 关 键 词： | 电子束蒸镀 集成光学 二氧化碳 薄膜 制备工艺 |
| 文章编号： | 1005-0086(2001)06-0569-03 |
| 修稿时间： | 2000年12月7日 |
Investigation on Thick Silicon Dioxide Films Evaporation by Electron Beam Evaporation |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | electron beam evaporation (EBE) SiO_2 integrated optics |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《光电子．激光》下载全文 | |