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CdTe半导体中弱耦合表面磁极化子的有效质量
引用本文:张鹏,李子军.CdTe半导体中弱耦合表面磁极化子的有效质量[J].光电子.激光,1999,10(5):450-453.
作者姓名:张鹏  李子军
作者单位:1. 内蒙古民族师范学院,通辽,028043
2. 中国科学院激发态物理开放实验室,长春,130021
摘    要:本文研究了CdTe半导体中电子与我学(SO)声子及体纵光学(LO)声子一经耦合的表面磁极化子的性质。采用改进的线性组合逄符和微扰法计算了半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量;当计及电子在反剖效应中,发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论其对CdTe半导体中弱耦合表面磁极化子有效质量的影响。

关 键 词:碲化镉  磁极化子  弱耦合  微扰法  有效质量

Effective Mass of the Weak coupling Surface Magnetopolaron in CdTe Semiconductor
Zhang Peng,Li Zijun,Xiao Jinglin.Effective Mass of the Weak coupling Surface Magnetopolaron in CdTe Semiconductor[J].Journal of Optoelectronics·laser,1999,10(5):450-453.
Authors:Zhang Peng  Li Zijun  Xiao Jinglin
Abstract:The properties of surface magnetopolaron in CdTe semiconductor,which is a weak coupling with bulk longitudinal optical (LO) and surface optical (SO) phonons,was studied.The effective Hamiltonian of surface magnetopolaron in a CdTe semiconductor is derived by using improved linear combination operator and perturbation method.If we consider the interaction between phonons of different wave vectors in the recoil process,the influence on the effective mass of the weak coupling surface magnetopolaron in CdTe semiconductor was discussed.
Keywords:CdTe  magnetopolaron  perturbation method  effective mass
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