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| GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究 | |
| 引用本文： | 申屠伟进,胡飞,韩彦军,薛松,罗毅,钱可元.GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究[J].光电子．激光,2005,16(4):385-389. |
| 作者姓名： | 申屠伟进 胡飞 韩彦军 薛松 罗毅 钱可元 |
| 作者单位： | 1. 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100084 2. 清华大学深圳研究生院半导体照明实验室,广东,深圳,518057 3. 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100084;清华大学深圳研究生院半导体照明实验室,广东,深圳,518057 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划资助项目(TG2000036601)，国家高技术研究发展计划资助项目(2001AA312190，2002AA31119Z)，国家自然科学基金资助项目(60244001) |
| 摘 要： | 基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明，GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高，通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20％；同时，低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率，并且LEDs芯片尺寸在400μm以下时光提取效率较高。 |
| 关 键 词： | 提取效率 发光二极管 GaN 蒙特卡罗方法 光吸收系数 模拟分析 环氧树脂 芯片尺寸 LEDs 蓝宝石 折射率 反射率 限制 p型 封装 |
| 文章编号： | 1005-0086(2005)04-0385-05 |
Study on Light Extraction Efficiency of GaN-based Light-emitting Diode Chips |
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| SHENTU Wei-jin,HU Fei,HAN Yan-jun.Study on Light Extraction Efficiency of GaN-based Light-emitting Diode Chips[J].Journal of Optoelectronics·laser,2005,16(4):385-389. | |
| Authors: | SHENTU Wei-jin HU Fei HAN Yan-jun |
| Affiliation: | SHENTU Wei-jin~1,HU Fei~2,HAN Yan-jun~ |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaN light-emitting diodes(LEDs) light extraction efficiency Monte Carlo method |
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