| RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池 |
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| 引用本文： | 曹宇,张建军,李天微,黄振华,马俊,杨旭,倪牮,耿新华,赵颖.RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池[J].光电子．激光,2013(5):924-929. |
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| 作者姓名： | 曹宇 张建军 李天微 黄振华 马俊 杨旭 倪牮 耿新华 赵颖 |
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| 作者单位： | 南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市 重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市 重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市 重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市 重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市 重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市 重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市 重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市 重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市 重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2011CBA00705,1CBA00706,1CBA00707)、天津市应用基础及前沿技术研究计划(12JCQNJC01000)和中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 (南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市 重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071) |
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| 摘 要： | 采用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF-PECVD) 技术,研究了衬底温度对高Ge 含量(≈50%)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性 和电学特性的影响。结 果表明:较低的衬底温度会抑制 μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长；而当衬底温度过高 时,μc-SiGe:H薄膜的O含量和微 结构因子较大。在衬底温度为200℃时,获得了光电特性和结构特性 较优的高Ge含 量μc-SiGe:H薄膜。将优化好的μc-SiGe:H薄膜应用到电池中,在本征层 为600nm的情况下, 获得了转换效率为3.31%(Jsc=22.5mA/cm2,Voc=0.32V,FF=0.46)的单结μc-Si Ge:H电池,电池在1100nm处的光谱响应 达5.49%。
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| 关 键 词： | 微晶Si-Ge(μc-SiGe:H) 衬底温度 太阳电池 |
| 收稿时间： | 2012/10/14 0:00:00 |
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