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LDA泵浦Nd:YVO4/GaAs饱和吸收调Q激光器
引用本文:刘晓娟,傅汝廉,常胜江,卓然然,薛兵招,方涛,姜德宁.LDA泵浦Nd:YVO4/GaAs饱和吸收调Q激光器[J].光电子.激光,2006,17(12):1443-1446.
作者姓名:刘晓娟  傅汝廉  常胜江  卓然然  薛兵招  方涛  姜德宁
作者单位:南开大学现代光学研究所,天津,300071
摘    要:用脉冲激光二极管阵列(LDA)作为泵浦源,微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As^+注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q元件,实现了Nd:YVO4激光器每泵浦脉冲单涧Q脉冲输出。获得调Q脉冲宽度为7ns,脉冲峰值功率为3.4kW,激光器调Q效率为26.8%。对泵浦脉冲峰值、脉冲宽度和重复频率对调Q脉冲特性的影响进行了实验研究,并对实验结果进行了讨论。

关 键 词:激光二极管阵列(LDA)  离子注入GaAs  被动调Q  Nd:YVO4晶体
文章编号:1005-0086(2006)12-1443-04
收稿时间:2006-01-20
修稿时间:2006-01-20

Pulse-LDA-pumped Passively Q-switched Nd:YVO4 Laser with GaAs as Saturable Absorber
LIU Xiao-juan,FU Ru-lian,CHANG Sheng-jiang,ZHUO Ran-ran,XUE Bing-zhao,FANG Tao,JIANG De-ning.Pulse-LDA-pumped Passively Q-switched Nd:YVO4 Laser with GaAs as Saturable Absorber[J].Journal of Optoelectronics·laser,2006,17(12):1443-1446.
Authors:LIU Xiao-juan  FU Ru-lian  CHANG Sheng-jiang  ZHUO Ran-ran  XUE Bing-zhao  FANG Tao  JIANG De-ning
Affiliation:Institute of Modern Optics, Nankai University, Tianjin 300071, China
Abstract:
Keywords:laser diode array(LDA)  As+ implanted GaAs  passively Q-switch  Nd:YVO_4 crystal
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