| Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响 |
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| 引用本文： | 王晓华,范希武,李柄生,张吉英,刘益春,吕有明,申德振.Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响[J].光电子．激光,2003,14(8):783-786. |
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| 作者姓名： | 王晓华 范希武 李柄生 张吉英 刘益春 吕有明 申德振 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130022;高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学,吉林,长春,130022
2. 中国科学院激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家"863"计划(2001AA31112),国家自然科学重大基金(69896260),国家自然科学基金(60278031),中国科学院百人计划(60176003),中国科学院知识创新工程(ZT00Y18B)资助项目 |
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| 摘 要： | 用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱。这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法。并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索。
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| 关 键 词： | Si衬底 钝化 ZnO薄膜 氮化 薄膜质量 等离子增强化学气相沉积 |
| 文章编号： | 1005-0086(2003)08-0783-04 |
| 修稿时间： | 2003年1月6日 |
The Effect of Nitridation of the Si Substrate on the ZnO Film Quality |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO Si substrate nitridation plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) |
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