首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

980nm高功率应变量子阱阵列激光器的研制
引用本文:高欣,曲轶,等.980nm高功率应变量子阱阵列激光器的研制[J].光电子.激光,2003,14(3):225-227.
作者姓名:高欣  曲轶
作者单位:长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
基金项目:吉林省科技发展计划资助项目(51456030201ZS3601)
摘    要:利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱阵列激光器。其有源区采用分别限制单量子阱结构,激射波长在980nm左右,阵列器件由48个LD构成,在重复频率300Hz、脉冲宽度200μs的条件下,定温光功率输出达到20W,斜率效率1.1W/A,光电转换效率29%。

关 键 词:阵列激光器  分子束外延  MBE  应变量子阱  分别限制  单量子阱
文章编号:1005-0086(2003)03-0225-03
修稿时间:2002年7月20日

Fabrication of 980 nm Strained Quantum Well Laser Arrays
Abstract:
Keywords:molecular beam epitaxy(MBE)  strained quantum well  separate confine  single quantum well
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《光电子.激光》浏览原始摘要信息
点击此处可从《光电子.激光》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号