| 大电流高开关比非晶硅薄膜二极管研究 |
| |
| 引用本文： | 耿新华,黄维海,任慧志,薛俊明,张德坤,孙建.大电流高开关比非晶硅薄膜二极管研究[J].光电子．激光,2004,15(6):640-644,653. |
| |
| 作者姓名： | 耿新华 黄维海 任慧志 薛俊明 张德坤 孙建 |
| |
| 作者单位： | 南开大学光电子所,天津,300071 |
| |
| 基金项目： | 国家重大基础研究计划资助项目(G2000028202,G2000028203)，教育部重点项目(02167)，国家国际合作项目(2002DFG00051、023100711)，天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室资助项目。 |
| |
| 摘 要： | 报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50A/cm-2,±3V偏压时开关比接近105的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D IC)中三维只读存储器(3D ROM)的要求。文中介绍了pin型二极管的结构设计和制造条件,并讨论了本征层材料厚度和微结构、界面匹配、电极材料等因素对二极管正、反向电流特性的影响。
|
| 关 键 词： | 非晶硅薄膜二极管 开关比 薄膜沉积技术 三维集成电路 只读存储器 本征层 |
| 文章编号： | 1005-00086(2004)06-0640-05 |
An a-si Thin Film Diode with Big Current and High on/off Ratio |
| |
| GENG Xin-hu,HUANG Wei-hai,REN Hui-zhi,XUE Jun-ming,ZHANG De-kun,SUN Jian.An a-si Thin Film Diode with Big Current and High on/off Ratio[J].Journal of Optoelectronics·laser,2004,15(6):640-644,653. |
| |
| Authors: | GENG Xin-hu HUANG Wei-hai REN Hui-zhi XUE Jun-ming ZHANG De-kun SUN Jian |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | a-Si thin film diode big current high on/off ratio |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《光电子．激光》下载全文 |
|
