| 基于标准CMOS的低压高效正向注入型Si-LED阵列研究 |
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| 引用本文： | 武雷,谢生,毛陆虹,郭维廉,张世林,崔猛,谢荣.基于标准CMOS的低压高效正向注入型Si-LED阵列研究[J].光电子．激光,2015,26(6):1048-1052. |
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| 作者姓名： | 武雷 谢生 毛陆虹 郭维廉 张世林 崔猛 谢荣 |
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| 作者单位： | 天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61036002,1)资助项目 (天津大学 电子信息工程学院,天津 300072) |
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| 摘 要： | 基于标准CMOS工艺的n+源/漏区和p-sub,设计 了一种楔形n+pn+ 结构的硅基发光二极管(Si-LED)阵列,并经UMC 0.18μm 1P6M CMO S工艺制备。 测试结果表明, 设计的Si-LED 在 0.9~1.5V范围内正常工作,与CMOS电路的电源电压兼容,其发光 峰值波长在1100nm附近；注 入电流为390mA时,器件的发光功率可达1800nW,平均功率转换效率为3.5×10－6 。由于工作电压低、发光功率高,设计的LED器件有望在光互连领域得到广泛应用。
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| 关 键 词： | 硅基发光二极管(Si-LED) 标准CMOS工艺 正向偏置 低工作电压 光互连 |
| 收稿时间： | 2/4/2015 12:00:00 AM |
Research on forward-biased Si-LED arrays with low operating voltage and high conversion efficiency based on standard CMOS process |
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| Affiliation: | School of Electronic and Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China;School of Electronic and Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China;School of Electronic and Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China;School of Electronic and Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China;School of Electronic and Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China;School of Electronic and Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China;School of Electronic and Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China |
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